Infra-estrutura

Sistema de Epitaxia por Paredes Quentes (HWE)

Formado por sistema de vácuo com bomba difusora (P ~ 2 x 10-6 Torr) e uma célula de efusão para CdTe (T < 550° C) e um forno para substrato (150° C < T < 400° C).

Sistema de Crescimento Epitaxial por Feixes Moleculares (MBE)

Sistema home made com 4 células de efusão (T < 900° C) formo para substrato (T < 850° C) e sistema de vácuo com bomba turbo molecular, bomba iônica e bomba sublimação de Titânio (P ~ 3 x 10-8 Torr).